Principalele diferențe dintre plăcile de siliciu monocristalin de tip N și tip P pentru solar fotovoltaic
Principalele diferențe dintre plachetele de siliciu monocristalin de tip N și tip P pentru solar fotovoltaic
Plachetele de siliciu monocristalin au proprietățile fizice ale cvasi-metalelor, cu conductivitate slabă, iar conductivitatea lor crește odată cu creșterea temperaturii. De asemenea, au proprietăți semiconductoare semnificative. Prin doparea plachetelor de siliciu monocristalin ultra-pur cu cantități mici de bor, conductivitatea poate fi crescută pentru a forma un semiconductor de siliciu de tip P. În mod similar, dopajul cu cantități mici de fosfor sau arsen poate crește și conductibilitatea, formând un semiconductor de siliciu de tip N. Deci, care sunt diferențele dintre plăcile de siliciu de tip P și tip N?
Principalele diferențe dintre plachetele de siliciu monocristalin de tip P și de tip N sunt următoarele:
Dopant: În siliciul monocristalin, dopajul cu fosfor îl face de tip N, iar dopajul cu bor îl face de tip P.
Conductivitate: tipul N este conductor de electroni, iar tipul P este conducător de găuri.
Performanță: cu cât mai mult fosfor este dopat în tip N, cu atât mai mulți electroni liberi sunt, cu atât conductivitatea este mai puternică și rezistivitatea este mai mică. Cu cât este dopat mai mult bor în tipul P, cu atât sunt generate mai multe găuri prin înlocuirea siliciului, cu atât conductivitatea este mai puternică și rezistivitatea este mai mică.
În prezent, plachetele de siliciu de tip P sunt produsele principale în industria fotovoltaică. Plachetele de siliciu de tip P sunt simplu de fabricat și au costuri reduse. Plachetele de siliciu de tip N au de obicei durate de viață mai lungi ale purtătorilor minoritari, iar eficiența celulelor solare poate fi crescută, dar procesul este mai complicat. Placile de siliciu de tip N sunt dopate cu fosfor, care are o solubilitate slabă cu siliciul. În timpul tragerii tijei, fosforul nu este distribuit uniform. Plachetele de siliciu de tip P sunt dopate cu bor, care are un coeficient de segregare similar cu siliciul, iar uniformitatea dispersiei este ușor de controlat.